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本公開涉及多芯片傳感器和形成這種傳感器的方法。、集成多芯片傳感器通常包括基底元件，諸如襯底或半導(dǎo)體芯片，有多個傳感器設(shè)備被布置在其表面上。例如，環(huán)境傳感器包括用于測量各種環(huán)境參數(shù)(諸如氣壓、溫度、濕度、或氣體成分)的多個傳感器設(shè)備。雖然這種多芯片傳感器存在于消費領(lǐng)域中，但是汽車應(yīng)用(諸如燃...

本發(fā)明涉及一種裝置，尤其涉及一種微機電裝置。、現(xiàn)有微機電裝置于運行時對溫度非常敏感。當(dāng)現(xiàn)有微機電裝置所在的環(huán)境溫度發(fā)生變化時，現(xiàn)有微機電裝置容易發(fā)生運行不穩(wěn)定的情形，導(dǎo)致效能變差或是失準(zhǔn)。因此，現(xiàn)有微機電裝置還會安裝一溫度傳感器以對環(huán)境溫度進行檢測，使現(xiàn)有微機電裝置能依據(jù)環(huán)境溫度進行補償。...

本公開大體上涉及微機電系統(tǒng)的技術(shù)，且尤其，涉及微機電系統(tǒng)裝置和其制造方法。、一些微機電系統(tǒng)(mems)裝置依賴于鉸鏈，其中鉸鏈耐久性和一致移動為期望屬性。在具有mems裝置陣列的相位光調(diào)制器(plm)或空間光調(diào)制器(slm)中，陣列中的不同mems裝置的鉸鏈金屬尺寸的不均勻性可能導(dǎo)致不期望...

本發(fā)明涉及懸臂梁的制造方法，具體涉及用于靈敏力探測的具有超薄結(jié)構(gòu)的、超低彈性系數(shù)的硅懸臂梁的制造方法。、基于激光干涉的微懸臂梁(下面簡稱“懸臂梁”)位移測量是靈敏力探測的重要方法之一，在例如對納米尺度磁性樣品的磁扭矩測量、測量卡西米爾力、磁共振力測量等方面有著重要的應(yīng)用。、懸臂梁的參數(shù)直接...

本發(fā)明涉及數(shù)組，尤其涉及一種微機電數(shù)組。、現(xiàn)有微機電數(shù)組包含兩個環(huán)、兩個內(nèi)電極、兩個外電極及一連接件。其中，連接件的兩端分別連接兩個環(huán)，兩個環(huán)分別圍繞兩個內(nèi)電極，另外兩個外電極分別圍繞兩個環(huán)，并且各外電極具有穿過連接件的一避讓口。據(jù)此，現(xiàn)有微機電數(shù)組所有環(huán)運行在同一個相位且能通過兩個外電極...

本發(fā)明是有關(guān)一種微機電系統(tǒng)裝置及其制造方法，特別是一種多微機電系統(tǒng)裝置的制造方法。、自年代微機電系統(tǒng)(microelectromechanical?system，mems)裝置概念成形起，微機電系統(tǒng)裝置已從實驗室的探索對象進步至成為高階系統(tǒng)整合的對象，并已在大眾消費性裝置中有廣泛的應(yīng)用，展...

本申請涉及半導(dǎo)體技術(shù)，具體地，涉及半導(dǎo)體封裝模塑料擋壩。、半導(dǎo)體晶片是由例如硅等半導(dǎo)體材料構(gòu)成的圓形零件，其用于制造半導(dǎo)體芯片。通常，使用復(fù)雜的制造過程以在單個晶片上形成許多集成電路。在晶片上形成此類電路被稱為制造。在晶片制造之后，將晶片切割成稱為半導(dǎo)體裸片的多個零件，其中每個裸片含有一個...

本發(fā)明涉及刻蝕mems芯片的半導(dǎo)體工藝，尤其涉及一種用于刻蝕基于壓電疊層結(jié)構(gòu)mems芯片的制備方法。、目前，以玻璃為基底的mems芯片在鍍膜后，需要通過光刻工藝來圖形化去承擔(dān)相應(yīng)的功能，而小尺寸mems晶圓或者單顆mems芯片無法與后續(xù)工藝tft步驟兼容。、例如，申請?zhí)枮?發(fā)明申請，公開的...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種mems器件及其制備方法。、在mems器件，尤其是加速度計的制造和使用中，運動部件與懸臂梁的斷裂失效是常見失效模式之一，這是由于常規(guī)的運動部件與懸臂梁等可動結(jié)構(gòu)層的材料為硅，硬度較低，導(dǎo)致可動結(jié)構(gòu)層的抗震動慣性應(yīng)力的能力較差，以及器件的機械穩(wěn)定性較差，從而降低...

本公開涉及光學(xué)封裝體的形成。特別地，本公開的示例涉及用于形成光學(xué)封裝體的方法。、晶片級玻璃吹制構(gòu)成成本有效的方法來制造用于諸如激光束掃描器的微機電系統(tǒng)(mems)設(shè)備的光學(xué)晶片級封裝體。使用深反應(yīng)離子蝕刻(drie)構(gòu)造硅晶片以產(chǎn)生腔體，該腔體通常是具有幾毫米直徑和幾百微米深度的橢圓形或圓...

本申請涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種mems器件及其制造方法。、在mems器件，尤其是加速度計的制造和使用中，可動部件與固定部件間產(chǎn)生粘連導(dǎo)致器件失效是常見的器件失效原因之一，這是由于常規(guī)的可動部件與固定部件均為截面為矩形的設(shè)計，受靜電效應(yīng)、刻蝕毛刺等因素影響，可動部件與自身對應(yīng)位置的相鄰位置的...

本申請實施例涉及電子產(chǎn)品，更具體地，本申請實施例涉及一種mems芯片、mems系統(tǒng)和電子設(shè)備。、mems（micro-electro-mechanical?systems，微機電系統(tǒng)）芯片廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中，如智能手機、智能音箱、助聽器等。在mems芯片的結(jié)構(gòu)中，背極板是核心組成部分...

本發(fā)明涉及傳感器制造，更具體地，涉及一種振膜、振動傳感器及電子設(shè)備。、現(xiàn)有技術(shù)的傳感器，振膜實現(xiàn)超疏水性能，通常采用含氟量較大的材料作為疏水層，含氟量較大的材料對環(huán)境污染較大。技術(shù)實現(xiàn)思路、本發(fā)明的一個目的是提供一種振膜、振動傳感器及電子設(shè)備的新技術(shù)方案，至少能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中采用含氟量較...

本發(fā)明涉及一種微機械(mems)振動元件以及一種用于運行mems振動元件的方法。尤其地，本發(fā)明涉及一種慣性傳感器以及一種運行慣性傳感器的方法。、微機械(mems)振動元件在汽車和消費領(lǐng)域的各種應(yīng)用中進行大規(guī)模生產(chǎn)，通常作為用于測量加速度、轉(zhuǎn)速或壓力變化的傳感器。此類傳感器的傳感器原理在很多...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體而言涉及一種mems器件及其制造方法、電子裝置。、mems(micro-electro-mechanical?system，微機電系統(tǒng))是指一種將機械構(gòu)件、驅(qū)動部件、光學(xué)系統(tǒng)、電控系統(tǒng)集成為一個整體的微型系統(tǒng)。mems器件具有體積小、功耗低等優(yōu)勢，在智能手機、平板電腦...

本發(fā)明涉及光刻，尤其涉及一種基于表面能修復(fù)的微納器件光刻工藝及微納器件。、在半導(dǎo)體或mems（微機電系統(tǒng)）器件的制造工藝中，等離子體清洗（尤其是氧氣等離子體）被廣泛應(yīng)用于去除基底表面的有機污染物和增強基底的表面親水性；然而，等離子體中的活性粒子會使半導(dǎo)體、金屬等基底材料的表面產(chǎn)生一層疏松、...

本發(fā)明涉及一種用于產(chǎn)生流體脈沖的微電子機械裝置。本發(fā)明還涉及一種微電子機械揚聲器以及一種用于制造產(chǎn)生流體脈沖的微電子機械裝置的方法。、現(xiàn)有技術(shù)中已知用于產(chǎn)生流體脈沖的微電子機械裝置、其制造方法以及微電子機械揚聲器。微電子機械系統(tǒng)也簡稱為mems。、wo?/a涉及一種mems轉(zhuǎn)換器，其包括可...

本申請涉及芯片，具體地涉及一種封裝器件、電子設(shè)備及交通工具。、mems慣性器件是用于車輛智能駕駛、慣性導(dǎo)航、底盤控制、碰撞檢測等領(lǐng)域的關(guān)鍵芯片。mems慣性器件中的芯片用于實現(xiàn)對外界運動信息的檢測，其中，芯片具有非常高的靈敏度和精密度，對環(huán)境應(yīng)力非常敏感。因此，當(dāng)芯片受到外界應(yīng)力作用而發(fā)生...

本發(fā)明屬于微納結(jié)構(gòu)加工，具體涉及一種高縱寬比非對稱柔性微脊陣列制造方法及其應(yīng)用。、微納結(jié)構(gòu)加工技術(shù)是實現(xiàn)高精度結(jié)構(gòu)和功能器件制造的關(guān)鍵工藝，廣泛應(yīng)用于光學(xué)元件、微流控芯片、柔性電子、以及能源器件等領(lǐng)域。隨著器件向高性能、多功能和小型化發(fā)展，微納結(jié)構(gòu)的幾何精度、形貌復(fù)雜度以及加工靈活性提出了...

本技術(shù)涉及一種本技術(shù)涉及集成電路，且尤其是有涉及一種微機電系統(tǒng)(micro-electro?mechanical?systems，mems)裝置。、微機電系統(tǒng)(mems)是一種在晶圓襯底上采用微型機械及機電組件(例如，裝置或結(jié)構(gòu))的技術(shù)。利用微制造技術(shù)，mems裝置所涵蓋的范圍可自無移動組...